HIPIMS濺射技術(shù) 當前位置:主頁 > 技術(shù)說明 > HIPIMS濺射技術(shù)
1999年，瑞典Kouznetsov等首先開發(fā)采用高功率脈沖作為磁控濺射的供電模式，通過在普通磁控濺射Cu陰極上施加峰值功率達MW級的脈沖放電，獲得了Cu離化率高達70%的等離子體，開辟了高功率脈沖磁控濺射技術(shù)的先河，此后其他研究者在HIPIMS技術(shù)放電機理、等離子體特性和各種涂層應用等方面做了大量工作。
HIPIMS是高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（High power impulse magnetron sputtering）的簡稱，其原理是利用較高的脈沖峰值功率和較低的脈沖占空比來產(chǎn)生高濺射金屬離化率的一種磁控濺射技術(shù)，HIPIMS的峰值功率可以達到MW級別，但由于脈沖作用時間短，其平均功率與普通磁控濺射一樣，這樣陰極不會因過熱贈增加靶材冷卻。HIPIMS綜合了磁控濺射低溫沉積、表面光滑、無顆粒缺陷和電弧離子鍍金屬離化率高、膜層結(jié)合力強、涂層致密的優(yōu)點，且離子束流不含大顆粒，在控制涂層微結(jié)構(gòu)的同時獲得優(yōu)異的膜基結(jié)合力，在降低涂層內(nèi)應力及提高膜層致密性、均勻性等方面具有閑著的優(yōu)勢，被認為是PVD發(fā)展史上近30年來很重要的一項技術(shù)突破，特別是在硬質(zhì)涂層和功能涂層的應用方面有顯著優(yōu)勢。
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