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真空陰極離子鍍法制備 Ti/TiN/Zr/ZrN 多層膜
發(fā)布時(shí)間：2021-07-28
直升飛機(jī)在砂塵、海洋環(huán)境中飛行時(shí)，其部件特別是壓氣機(jī)葉片很容易被沖蝕和腐蝕。為了達(dá)到理想的防護(hù)效果，壓氣機(jī)葉片抗沖蝕涂層既要具備足夠的硬度和韌性，又要具備優(yōu)良的抗沖蝕和耐腐蝕性能。
TiN、ZrN等硬質(zhì)膜層具有硬度高、耐磨損、耐腐蝕和耐高溫等特點(diǎn)，因而在實(shí)際工程中得到了廣泛應(yīng)用。由于膜層內(nèi)應(yīng)力的影響，膜/基結(jié)合強(qiáng)度隨膜厚的增加而下降，以致常用的單層TiN或ZrN膜層厚度一般不能超過8um，而對(duì)于耐腐蝕膜層，有時(shí)要求其膜層更厚，以便能完全包覆沉積過程中存在的液滴、微孔等缺陷，提高基材的抗腐蝕性能。
國(guó)內(nèi)外已在不銹鋼基體上沉積二元或多元氮化物硬質(zhì)膜層，提高了材料耐磨和耐蝕性能，但在沉積多元多層軟硬交替Ti/TiN/Zr/ZrN厚膜(膜厚大于1.0um)、提高壓氣機(jī)不銹鋼葉片耐蝕性方面卻少有報(bào)道。
本工作采用真空陰極電弧沉積技術(shù)，結(jié)合脈沖偏壓，利用多靶位陰極電弧沉積主體設(shè)備，在不同靶位裝上各種靶材，制備多元多層軟硬交替的Ti/TiN/Zr/ZrN厚膜，研究了其顯微結(jié)構(gòu)和耐腐蝕性能。
1、試驗(yàn)
1.1 試樣制備與設(shè)備
基材分別選用尺寸為10mm×10mmx8mm的1Crl1Ni2W2MoV不銹鋼和si片，經(jīng)研磨、拋光以及超聲清洗等預(yù)處理，沉積前用一1000V偏壓進(jìn)行離子轟擊清洗。
采用AS700DTX型自動(dòng)控制PVD多弧離子鍍膜機(jī)制膜，爐內(nèi)分3列共裝12個(gè)圓形靶材，分別為4個(gè)Cr靶、
4個(gè)Ti靶和4個(gè)Zr靶，靶材純度均為99.9％。選用純度均為99.999％的氫氣、氮?dú)夂蜌鍤狻ｉ_始鍍膜前開啟cr靶，沉積1層金屬Cr作為過渡層，以提高膜層與基體之間的結(jié)合強(qiáng)度。通過調(diào)節(jié)N2流量，依次啟動(dòng)Ti靶和Zr靶，沉積Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜。以Ti/TiN/Zr/ZrN4層結(jié)構(gòu)為1個(gè)周期，通過計(jì)算機(jī)程序自動(dòng)控制，重復(fù)相同的工藝沉積多個(gè)周期，獲得多元多層軟硬交替的Ti/TiN/Zr/ZrN膜。主要沉積參數(shù)：沉積溫度300～350℃，偏壓-200一-100V，N2壓強(qiáng)0.5～1.0Pa，靶電流80-100A，1個(gè)周期內(nèi)金屬層沉積5min，氮化物層沉積10min。
1.2 測(cè)試方法
采用LEO1530VP型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡和JEOLJSM一5910型掃描電鏡觀察膜層形貌與結(jié)構(gòu)。利用PhilipsXpeaMPD型x射線衍射儀分析薄膜相組成。采用MD一5型努氏硬度計(jì)測(cè)量膜層顯微硬度，載荷0.25N，保載15s，每式樣測(cè)量10個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)，每個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)測(cè)量3次，取平均值。采用HH-3000薄膜結(jié)合強(qiáng)度劃痕試驗(yàn)儀測(cè)試膜/基結(jié)合強(qiáng)度，最大載荷100N，加載速度100N/min，劃痕速度5mm/min，劃痕長(zhǎng)度5mm，每個(gè)試樣做3次劃痕試驗(yàn)。電化學(xué)測(cè)量在CHI650C電化學(xué)工作站上進(jìn)行，采用三電極體系，工作電極為待測(cè)試樣，控制工作表面為1cm2，非工作表面用環(huán)氧樹脂密封，參比電極為飽和甘汞電極(SCE)，輔助電極為鉑電極，腐蝕介質(zhì)為3.5％NaCl溶液，電位掃描范圍為-0.8～0.5V，掃描速率為1mV/s。
2、結(jié)果與分析
2.1 薄膜形貌
圖1a是1Crl1Ni2W2MoV基材上沉積18個(gè)周期的Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜的表面形貌，可以看出：多層膜的表面較為平整、致密；膜層表面分布有一些色淺、大小不等的球形顆粒，這是陰極電弧離子鍍沉積工藝存在的“液滴”造成的。圖1b是1Crl1Ni2W2MoV基材上沉積18個(gè)周期的Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜的截面形貌，可以看到：Ti/TiN/Zr/ZrN4層結(jié)構(gòu)為1個(gè)周期，截面顯示有18個(gè)周期，每個(gè)周期厚0.8um左右，總膜約厚15um，其中暗處為Ti/TiN層，亮處為Zr/ZrN層；同時(shí)有液滴的痕跡，大的可以貫穿幾個(gè)周期的膜厚。采用多層結(jié)構(gòu)可以將液滴包覆，這對(duì)提高膜層的耐腐蝕性非常重要。圖1c是Si片上沉積3個(gè)周期的多層膜截面形貌，可以看出：多層膜在1個(gè)周期內(nèi)，層與層之間界面明晰，各層薄膜呈柱狀生長(zhǎng)方式。在多層膜調(diào)制周期中，金屬層的存在會(huì)阻斷氮化合物層柱狀晶的生長(zhǎng)，從而限定晶粒的生長(zhǎng)。圖1d是Si片上沉積2h得到的TiN單層薄膜截面形貌，可以看出：對(duì)于單層TiN薄膜，隨著沉積時(shí)間的增加，細(xì)小的晶粒合并成大的晶粒，并以柱狀的方式生長(zhǎng)。與圖1d相比，圖1c中的多層膜由于采用多層結(jié)構(gòu)，金屬層的插入有效地阻斷了柱狀晶的進(jìn)一步長(zhǎng)大，達(dá)到了細(xì)化晶粒、減少穿透性針孔的作用。
2.2 多層膜的相組成
圖2為Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜的x射線衍射譜。由圖2可知，多層膜中主要存在ZrN和TiN2個(gè)相，含少量的zr和Ti相，其中ZrN與TiN均為面心立方結(jié)構(gòu)。
2.3 硬度與結(jié)合強(qiáng)度
圖3是Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜與TiN、ZrN單層薄膜的顯微硬度。由圖3可知，單層TiN薄膜的顯微硬度在2000～2300HV之間；單層ZrN薄膜的顯微硬度在2400～2700HV之間；多層膜的硬度在2800-3100HV之間，高于單層TiN和ZrN薄膜的硬度。
多層膜硬度的提高可能是由于金屬層的插入細(xì)化了膜層的晶粒而引起的。當(dāng)多層膜的調(diào)制周期在微米尺度范圍時(shí)，多層膜的硬度提高機(jī)制是Hall-Petch效應(yīng)。
圖4為Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜的聲信號(hào)曲線。由圖4可以看出，多層膜與基體結(jié)合良好，結(jié)合力超過70N。圖5為劃痕的形貌，與圖4相對(duì)應(yīng)，當(dāng)壓頭在試樣表面從左到右勻速滑動(dòng)時(shí)，在劃痕的末端，膜層開始脫落，此時(shí)產(chǎn)生聲信號(hào)。
2.4 腐蝕性能
圖6為多層膜、單層TiN薄膜和1Crl1Ni2W2MoV基材在3.5％NaC1溶液中的Tafel曲線。表1為圖6Tafel曲線經(jīng)電化學(xué)工作站軟件擬合得到的自腐蝕電位和自腐蝕電流密度。
由圖6和表1可以看出：在1Crl1Ni2W2MoV基材上鍍TiN涂層后，自腐蝕電位上升，自腐蝕電流密度變小，對(duì)基體起到了保護(hù)作用。在腐蝕介質(zhì)中，TiN涂層基本上不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，對(duì)基體的保護(hù)作用近似于一種機(jī)械阻擋作用。材料失效來自于涂層微孔下基材的腐蝕，只有當(dāng)腐蝕介質(zhì)透過涂層到達(dá)金屬基體表面并積累一定量時(shí)，腐蝕才得以發(fā)生。涂層的微觀缺陷以及侵蝕性離子在缺陷處的傳輸行為是影響材料腐蝕的主要因素。與1Crl1Ni2W2MoV基材相比，鍍Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜后，自腐蝕電位升高177mV，自腐蝕電流密度約降低了1個(gè)數(shù)量級(jí)。與單層TiN薄膜相比，在1Crl1Ni2W2MoV不銹鋼基材上鍍Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜后，其自腐蝕電位上升近100mV，自腐蝕電流密度變小，表明多層結(jié)構(gòu)的膜層比單層結(jié)構(gòu)的TiN膜層在提高基體抗腐蝕能力方面具有更顯著的作用。這可能是由于多層結(jié)構(gòu)降低了膜層的內(nèi)應(yīng)力，得到了比單層薄膜更厚的膜層，厚度的增加延長(zhǎng)了侵蝕性離子的傳輸路徑，從而對(duì)基體材料起到了保護(hù)作用；另一方面可能是由于多層膜結(jié)構(gòu)的界面增多，不同膜層的交錯(cuò)生長(zhǎng)有利于隔斷微孔、裂紋等缺陷，堵塞了侵蝕性離子的傳輸路徑，從而達(dá)到保護(hù)基體材料的目的。
3、結(jié)論
(1)采用陰極電弧離子鍍工藝成功制備了大厚度的Ti/TiN/Zr/ZrN多層膜，膜層之間界面明晰，膜層晶粒細(xì)小、結(jié)構(gòu)致密。
(2)膜基結(jié)合性能良好，結(jié)合力大于70N，顯微硬度在2800～3100HV0.25N之間。
(3)多層膜中主要存在ZrN和TiN相，含有少量的Zr和Ti。
(4)Ti/TiN/Zr/ZrN多層厚膜比單層TiN膜層提高1Crl1Ni2W2MoV基體抗腐蝕能力的作用更顯著。
作者：李福球、洪瑞江、余志明、代明江、林松盛
作者：李福球、洪瑞江、余志明、代明江、林松盛
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